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克服人性的极限!英特尔将首次发布3纳米工艺
2019-02-10 04:48
 
击败人性的极限!
英特尔首次发布了3纳米工艺
2017-09-1916:09:44来源:科技快作者:Q编辑上一篇:Q评论文(0)
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近年来,英特尔新技术的步伐明显放缓。三星和台积电都很傲慢,不遵守海关。节点的名称相当随机。16nm的优化称为12nm,并且一次推高10/9/8/7/6/5nm。
这个版本的英特尔并不快,但听它真的很混乱。毕竟,她似乎不是自愿的。
在当今复杂的制造业的日子,英特尔比较与台积电和三星,它正试图证明它为10nm的真实自身的10MHz的过程。
在面对未来,英特尔已经提供了很多好牌的,是10个纳米产品即将发布,为7nm,我们可以基本就绪,为5nm,还计划3纳米。
从英特尔的路线图来看,5纳米和3纳米可以看作是研究阶段的最前沿,具体如何实现它尚未建立,大规模生产等不知道什么月份,嗯,这意味着英特尔的半导体技术芯片绝对追求。
为实现5纳米,3纳米,英特尔正在边境进行大量技术研究。
- 纳米线晶体管:它被认为是未来技术的一种选择,因为纳米线的结构提供了更好的信道质量,这进一步最小化了晶体管栅极的长度。
-III-V材料:虽然硅是通常在MOSFET通道中使用的材料,III-V材料,例如砷化镓,磷化铟是提高载流子的迁移率,而获得较高或较低的性能你也一样。它以低电压和低有功功率运行。
- 3D堆叠:硅晶片的3D堆叠提供了集成系统并在小地方组合不同技术的机会。
- 高密度存储器:正在探索和开发各种不同的高密度存储器选项,包括易失性和非易失性存储技术。
- 高密度互连:在微调过程中,小型互连与小型晶体管一样重要。
正在探索新材料和设计技术以支持高密度互连。
- 使用极紫外光刻(EUV):13。
波长为5纳米。
当今天的193nm波长工具到达微链路的边界时,正在开发实现进一步小型化的技术。
- 自旋电子学:超越CMOS的技术。如果CMOS不再能够小型化,则可以选择提供高密度的低功耗电路。
- 神经元计算:不同的处理器设计和架构,其执行多种计算功能,其能效比当前计算机高得多。
没有人知道摩尔定律的局限性。
有趣的是,台积电一年前宣布了5纳米和3纳米的计划,并称有300到400人在3纳米工作,但没有透露细节。
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